物理气相传输法（PVT）是制备碳化硅（SiC）晶体的主流方法之一，PVT法生长SiC单晶，温度高达2300℃，生长过程需严格控制生长温度梯度，其温度控制系统为闭环控制，由红外测温仪、温控器、加热电源以及加热器（感应线圈）组成。

半导体分立器件可靠性测试设备是专门用于评估半导体分立器件在各种条件下的可靠性和稳定性的工具和系统。这些设备通过模拟器件在实际使用中可能遇到的各种环境和电应力情况，对器件进行一系列的测试和监测，以确定其是否能够在规定的时间内和特定的条件下正常工作。其主要分为环境应力测试类、电应力测试类、其他特殊测试设备。